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半导体晶片退火炉 管式加热炉

厂商性质:生产厂家

更新时间:2023-11-13

访问量:561

简要描述:

半导体晶片退火炉 管式加热炉把实验的气体通入炉管中,管子的两端由阀门密封,气体在加热中可以分解、化合等多种化学反应。充气时由阀门控制流量计、质量流量计、压力表等监控。

炉膛材料全部采用高纯氧化铝纤维板/进口摩根纤维制作而成,节能效果是老式电炉80%以上。

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半导体晶片退火炉 管式加热炉
品牌SAITHEDA/赛热达升温速度(达到最高温)60-150min
内部尺寸40-200mm加热方式电炉丝、硅碳棒、硅钼棒
最大功率1-100KW控温精度±1℃℃
最高温度1200℃价格区间5千-1万
仪器种类管式炉产地类别国产
应用领域建材,电子,航天,汽车,电气

半导体晶片退火炉 管式加热炉把实验的气体通入炉管中,管子的两端由阀门密封,气体在加热中可以分解、化合等多种化学反应。充气时由阀门控制流量计、质量流量计、压力表等监控。

炉膛材料全部采用高纯氧化铝纤维板/进口摩根纤维制作而成,节能效果是老式电炉80%以上。(微电脑控制)可编程,全自动升温,控温精度±1℃ 炉管内部可以抽成真空,实现高温真空烧结。也*可以充以不同的气体,加以气氛保护。充气时由阀门控制流量计、质量流量计、压力表等

半导体晶片退火炉 管式加热炉技术参数

温度

项目

1000度、1200度、1400度、1600度、1700度、1800度、

电压V

380

型号

SRD-1700GSL

设计温度

1000度、1200度 、1400度、1600度、1700度、1800度

可长期使用温度

950度、1150度、1350度、1550度、1650度、1750度

控温精度

±1度(集成化电路控制,无*调现象)

控制范围为

50至1800度

测温元件

热电偶分度号:K,测温范围0-13850度;S,测温范围0-1450度;B,测温范围0-1850度

发热元件装位置

平行/垂直安装于炉膛两侧

炉温均匀性

±1度(根据炉膛尺寸大小而定,大型炉膛可采用多点控温)

炉管材质

石英管/不锈钢管/刚玉管

控制

微电脑程序控制功能,可以输入设定:可同时输入多条曲线,使用时可任意调用

发热元件

硅碳棒/硅钼棒

升温速率

升温速率可自由调节,调节范围:升温速率每分钟40度(40度/min)、慢升温速率每小时1度(1度/h)

耐火材料

高纯氧化铝纤维/进口摩根纤维

冷却结构

双层炉壳,风冷;炉体温度≤45度

计算机接口(选配)

RS485/RS232/USB

保修范围及期限

电炉*保修壹年,发热元件、炉管、热电偶不保修(发热元件三个月内自然损坏*更换)

随机备件

发热元件两支、棒具两套,说明书一份,合格证一份,高温手套一副,密封圈两个。













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