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更新时间:2025-11-13
浏览次数:671700度陶瓷制品烧结炉是一种专为陶瓷材料高温烧结设计的设备,其核心参数与应用场景如下:
一、核心参数
温度范围
最高温度:1700℃,短期使用可达1650℃(如郑州安晟产品),长期稳定工作温度建议≤1600℃。
控温精度:±1℃,部分型号(如AS-1700)通过PID智能调节与30段可编程控温实现高精度控制。
测温方式:采用双铂铑热电偶(B型),确保温度测量准确性。
加热元件
主流选择:硅钼棒(1600℃以上),因其耐高温、抗氧化性强,适合长期高温作业。
替代方案:部分型号采用HRE电阻丝或硅碳棒(成本更低,但高温稳定性稍弱)。
炉膛材料
内层:高纯氧化铝陶瓷纤维,耐急冷急热、不掉渣,减少热能损耗。
中间层:多晶莫来石纤维,提供更高强度与热屏障效果。
外层:纳米气凝胶隔热层或纳米级保温材料,将炉体表面温度降至≤45℃,提升安全性。
结构设计
炉膛尺寸:标准容积12L(300×200×200mm)至216L(600×600×600mm),支持非标定制(如郑州安晟可定制超大尺寸)。
炉门设计:侧开式炉门,配备防爆观察窗,便于实时观察烧结过程。
冷却系统:环绕炉膛的铜管矩阵配合液态氮循环,避免骤冷导致的材料应力。
二、应用场景
陶瓷材料烧结
氧化铝陶瓷:1700℃下烧结2小时,密度可达99.5%理论值,适用于电子元件、陶瓷滤波器等。
氧化锆陶瓷:高温烧结后用于牙科种植体、刀具涂层等,要求高强度与耐磨性。
其他陶瓷:如氮化硅、碳化硅等先进陶瓷材料的烧结,满足航空航天、半导体等领域需求。
金属材料处理
贵金属熔化:硅钼棒加热至1650℃熔化铂、铑等,满足工业级生产需求。
高温热处理:对金属零件进行退火、淬火等处理,改善材料性能。
半导体与电子领域
器件退火:在氮气保护下,1700℃退火改善半导体晶格缺陷,提升器件性能。
电子元件老化测试:模拟高温环境,评估元件可靠性。
新材料研发
纳米材料合成:高温下促进纳米颗粒的结晶与生长,制备高性能纳米材料。
催化剂活化:通过高温处理提升催化剂活性,优化催化反应效率。
三、设备优势
温度均匀性:炉膛纵向温差均匀,确保烧结材料性能一致。
节能环保:多层隔热设计减少热能损耗,降低能耗。
操作便捷:智能控制系统支持多段程序控温,自动化程度高。
安全可靠:超温报警、防爆观察窗等设计保障操作安全。
